• Ш.Б.Атакулов, Б.А. А такулов , Ў.А.Исроилова, Г.Б.Абдуллаева

  • Скачать 24.08 Kb.


    Дата12.05.2017
    Размер24.08 Kb.

    Скачать 24.08 Kb.

    Физика – математика факультети кенгашининг 14-декабрь 2011 йил йиғилиши баёномасидан



    Semiconductor silicon diodes with negative resistance compensated gold
    Полупроводниковые кремниевые диоды с отрицательным сопротивлением компенсированное золотой

    Ш.Б.Атакулов,

    Б.А.Атакулов, Ў.А.Исроилова, Г.Б.Абдуллаева

    Ферганский Государственний Университет г. Фергана. Узбекистан

    Atakulovsh@mail.ru
    С 60-70 годов прошлого века исследования физических свойств полупроводниковых материалов с глубокими примесными уровнями являлся одным из важных направлений физики полупроводников. В этом направлении особое место имело изучения электрофизических и оптических свойств полупроводниковых материалов компенсированное с различными примесями. Особенность компенсированного материала заключается в том, что ВАХ диодов изготовленная из этых материалов имеет S-образную форму. На основе этого явление были созданы различные полупроводниковые приборы. В этот период нами было исследовано технология внедрения различных химических элементов в n-тип кремний и германии в качестве компенсирующих примесей[1]. Кремний легировался золотой, медом, кадмием, цинком, никелем и другими элементами, но из этих материалов внедрение золото в кремнии имели свои технологические особенности. Преимущество диодов с базой изготовленной из кремнии с примесями золото заключалось в том, что фоточувствительность, быстродействие и некоторые эксплуатационные параметры оказалось лучше чем диодов изготовленная из других материалов. Не многим технологическим группам удалось получить S-диоды на основе кремнии компенсированное золотом. Публикации в открытой печати не было опубликовано.

    Коротко опишем технологии изготовления диодов. Легирование производилось диффузионным методом при температуре 1000−12000С из паровой фазы и напыленного слоя в течении 4−15 час. При комнатной температуре исходный Si имел удельное сопротивление 4−100 Ом∙см. После диффузии образцы сохранили тип проводимости, а удельное сопротивление возрастало до 1−200 кОм∙см. Методом вплавления были изготовлении структуры p-n-n+, n+-n-n+, p+-n-p+ типов. В качестве контакта были использовании Au−0.1% Sb и Al. Площадь контактов 0.5−1.0 мм2, толщина базы 0.2−1.0 мм. В отличие от германиевых и кремниевых длинных диодов с другими примесями, длина базы изготавливались существенно короткими, но при этом выполнялось условие. ВАХ диодов исследована в статическом режиме. При увеличении напряжение, сила тока возрастает экспоненциально. При достижении напряжение U3,5 В, в образце напряжение падает до значение U3В, а сила тока возрастает значительно и при этом образуя S-образную форму. В отличие от кремниевых диодов изготовленная из других компенсирующих элементов в результате двойной инжекции, значение силы тока возрастает до 100 мА и выше.

    Одновалентные ионы золото создают в запрещенной зоне две глубоких уровня. Один акцепторный уровень расположен на расстоянии 0,55эВ над дном зоны проводимости, а другой донорный уровень расположен на расстоянии 0,35эВ над потолком валентной зоны. Основное отличие золото от других компенсирующих элементов в том, что эти две глубокие уровни разные по знаку, и это приводить к различным особенностям в вольтамперной характеристиках диодных структур.

    Авторы выражают благодарность М.Собирову за оказанную помощь при подготовке материалов тезиса.



    Литература

    1. Авакянц Г.М., Отакулов Б.О. К вопросу о прямой ветви вольтамперной характеристики кремниевых диодов с легированной золотой базой. Радиотехника и электроника. 10, 1965г. стр.2037.

    Коьрта
    Контакты

        Главная страница


    Физика – математика факультети кенгашининг 14-декабрь 2011 йил йиғилиши баёномасидан

    Скачать 24.08 Kb.